英文介绍：Electronic materials refers to electronic technology and materials used in microelectronics technology, including semiconductor materials, dielectric materials, piezoelectric and ferroelectric materials, magnetic materials, some metal materials, polymer materials, and other relevant materials, the most important is the semiconductor material. 
    电子材料是指在电子技术和微电子技术中使用的材料，半导体材料、介电材料、压电及铁电材料、磁性材料、某些金属材料、高分子材料以他相关材料，其中最重要的是半导体材料。  
    在电子和微电子技术中，半导体材料主要用来制做晶体管、集成电路、固态激光器的探测器等器件。1906年发明真空三极管，奠定了本世纪上半叶无线电电子学发展的基础，但采用真空管的装备体积笨重、能耗大、故障率高。1948年发明了半导体晶体管，使电子设备走向小型化、轻量化、省能化，晶体管的功耗仅为电子管的百万分之一。1958年出现了集成电路。集成电路的发展带来了电子计算机的微小型化，从而使人类社会掀开了信息时代新的一页。目前制造集成电路的主要材料是硅单晶。硅的主要特性是机械强度高、结晶性好、自然界中储量丰富、成本低，并且可以拉制出大尺寸的硅单晶。可以说，硅材料是大规模集成电路的基石。  
    硅固然是取之不尽、用之不竭的原材料，但化合物半导体材料，如砷化镓很成为继硅之后第二种最重要的半导体材料。与硅相比，砷化镓具有更高的禁带宽度，因而砷化镓嚣器件可以用于更高的工作温度，又它具有更高的电子迁移率，于要求更高频率和更高开关速度的场合，这也就使它成为制造高速计算机的关键材料。砷化镓材料更重要的一个特性是它的光电效应，可以使它成为激光光源，这是实现光纤通讯的关键。因而预计砷化镓材料在世纪之交的90年代将有一个大发展。  
    在高真空条件下，采用分子速外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）、液相外延（LPE）金属有机化学气相沉积（MOCVD）、化学束外延（CBE）等方法，在晶体衬底上一层叠一层地生长出不同材料的薄膜来，每层只有几个原子层，这样生长出来的材料叫超晶格材料。超晶格的出现将为半导体材料、器 件 的 发 展 开 辟 更 新 的 天 地 。

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